Hardware/circuitry
[안희백] 트랜지스터와 FET의 스위칭
maetel
2008. 7. 25. 14:49
전자응용과 기계장치제어
졸업작품 만들기 (II)
안희백
Ohm사, 2006
15-26쪽:
트랜지스터와 FET의 스위칭
http://en.wikipedia.org/wiki/BJT
http://en.wikipedia.org/wiki/Field_effect_transistor
MOS FET
http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET
SMPS
http://en.wikipedia.org/wiki/Switched-mode_power_supply
23쪽
졸업작품 만들기 (II)
안희백
Ohm사, 2006
15-26쪽:
트랜지스터와 FET의 스위칭
트랜지스터 - BJT, UJT, FET
BJT
= Bipolar Junction Transistor
eg. KTC3198, 2SD880, KSE13003
UJT
= Unjunction Transistor
FET
= Field Effect Transistor
eg. IRF830, MC1596
BJT
= Bipolar Junction Transistor
eg. KTC3198, 2SD880, KSE13003
UJT
= Unjunction Transistor
FET
= Field Effect Transistor
eg. IRF830, MC1596
BJT
입력 - Base 전류
출력 - Collector 전류
h_FE = 출력 전류 / 입력 전류
BJT를 증폭기로 사용하여 입력전압에 대해 출력전압을 증폭하게 되는데 이때 트랜지스커에 연결된 저항에 의해 전류가 전압으로 환산될 뿐 트랜지스터 그 자체에는 전압증폭이란 존재하지 않는다.
입력 - Base 전류
출력 - Collector 전류
h_FE = 출력 전류 / 입력 전류
BJT를 증폭기로 사용하여 입력전압에 대해 출력전압을 증폭하게 되는데 이때 트랜지스커에 연결된 저항에 의해 전류가 전압으로 환산될 뿐 트랜지스터 그 자체에는 전압증폭이란 존재하지 않는다.
http://en.wikipedia.org/wiki/BJT
FET
입력 - Gate 전압
출력 - Drain 전압
transconductance = 출력 전류 / 입력 전압
BJT에서는 베이스 전류가 없이는 절대 동작하지 않지만 FET에서는 전류가 아닌 게이트 전압으로 동작되므로 입력에 전류가 흐르지 않아도 된다. 그래서 BJT로 만들어진 것은 전력소모가 많고 FET로 만들어진 것은 전력소모가 적게 된다. (이것은 표준 논리 게이트도 마찬가지여서 TTL은 전력소모가 많지만 CMOS는 전력소모가 적다.)
입력 - Gate 전압
출력 - Drain 전압
transconductance = 출력 전류 / 입력 전압
BJT에서는 베이스 전류가 없이는 절대 동작하지 않지만 FET에서는 전류가 아닌 게이트 전압으로 동작되므로 입력에 전류가 흐르지 않아도 된다. 그래서 BJT로 만들어진 것은 전력소모가 많고 FET로 만들어진 것은 전력소모가 적게 된다. (이것은 표준 논리 게이트도 마찬가지여서 TTL은 전력소모가 많지만 CMOS는 전력소모가 적다.)
http://en.wikipedia.org/wiki/Field_effect_transistor
MOS FET
http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET
SMPS
http://en.wikipedia.org/wiki/Switched-mode_power_supply
23쪽
회로에서의 가변저항에는 직류전류가 흐르면 안 된다. 그러므로 전류가 흘러야만 동작되는 트랜지스터로는 스위칭이 곤란하며 전류없이 전압만으로 동작하는 FET가 이 경우에 적격이다.